主要用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

由于本机有特殊的找平机构,使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光,而且也适用非圆形基片和小型基片的曝光。

工作方式

本机为一次性光刻曝光

主要技术指标

1、配置一件承片台(承片台具体尺寸可根据用户需求制造)

2、曝光头(采用高均匀性多点光源曝光头)

*出射光斑≤230mm;350W(高压直流汞灯)

*光的不均匀性在φ230mm范围内≤±8%;

*实现真空密着条件下曝光。

*光的强度可通过X、Y、Z进行调节,曝光时间,通过0.1~999.9秒时间继电器设定;

*汞灯位置调节可通过精密的x、y、z调节装置调节,调节量为x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米;

*具有风扇冷却装置。

3、分辨率≥2μm 。

4、具备真空吸片功能。

5、具有真空密着和反吹气的功能,通过调节密着真空的大小可以实现硬接触曝光(密着真空≤-0.05 Mpa)、软接触曝光(密着真空在-0.05Mpa~-0.02Mpa之间)和微力接触曝光(密着真空≥-0.02Mpa)。

主要配置

*多点曝光头:1台

*曝光类型:一次性曝光

*曝光面积:≥φ110mm

*曝光不均匀性:≤±4%

*曝光面积:≥φ230mm

*曝光不均匀性:≤±8%

*曝光强度:≥15mw

*曝光分辨率:≤2μm

*曝光模式:单面曝光

*基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″φ5″、φ6″、φ7″、φ8″、φ9″

*基片厚度:≤5 mm

*曝光灯功率:350W

*曝光定时:0~999.9秒可调

*电源:单相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

*洁净压缩空气压力:≥0.4Mpa

*真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa

*尺寸:长700mm×宽650mm×高1200mm;

*重量:~110kg