无掩膜光刻机

2019-04-01

产品优点:
微米和亚微米光刻,最小0.6微米光刻精度
紫外光直写曝光,无需掩模,大幅节约了掩模加工费用
灵活性高,可直接通过电脑设计光刻图形,并可根据设计要求随意调整。
可升级开放性系统设计。
按照客户要求可从低端到高端自由配置
使用维护简单, 设备耗材价格低。
应用范围广,目前广泛应用于半导体、生物芯片、微机电系统、传感器、微化学、光学等领域。
曝光镜头
•   光源:200W汞灯.
•   光源寿命:>1000小时.
•   涵盖了汞灯的波段,范围宽, >510nm 下对准
衬底光照波长:
365nm+/-5 nm
405 nm+/-5nm
435nm+/-5 nm
•   波段曝光模式,可以在波段350–550nm范围内进行单次曝光.
•   像素大小Pixel Sizes included with system
1.25微米, 4X 物镜, (5 um 最小线宽)
0.25微米, 20X 物镜, (1 um 最小线宽)
•   256级灰度识别
•   4X物镜可以在曲面构建1mm 深的结构, 而不用移动镜头和样品台
•   一体化的光学过滤器可以在曝光过程中保持工作.
•   可以使用掩膜板和无掩膜两种工作模式.
•   可以实现整个XY轴样品台移动范围内的大尺寸图形曝光.
•   单一在线式相机可以观测样品并聚焦样品。.
•   多像素曝光可以提供大于750000个像素处理,在一次静态曝光中.

一体化硬件和软件功能
•   C语言基础上的软件,使用方便,修改以及和其它系统整合容易.
•   全自动聚焦
•   镜头和样品台在视场内校准。
•   管理员可控制使用者权限
•   程序可存储及调用
•   全自动面与面之间的对准,自动找平
•   远程网络诊断
•   微软Windows程序的个人电脑,集成与系统中.

全自动样品台
•  适合60mm方片衬底.
•  曝光面积60mmx 60mm,在此面积内适合所有像素尺寸.
•  线性位移平台
•  X轴和 Y轴移动
•  总移动范围: 60mm
•  准确性:+/-1微米,在每个轴的位移总长
•  重复性: +/-150nm ,每个轴
•  精度:5nm,每个轴
•  Z 轴移动
•  总移动范围:5mm
•  准确性:+/- 0.5微米
•  重复性: +/-250nm
•  旋转角度移动
•  总移动范围: 135度
•  准确性:+/-5 arcsec
•  重复性: +/-2 arc sec
•  4轴控制器,并开发数字界面.
•  通用的真空吸附样品台,支持方片衬底

CCD相机
•  1/2”步进扫描式CCD
•  感应区域:6.4mmx4.8mm
•  1392x 1024像素阵列
•  像素大小:4.65微米x4.65微米
•  IEEE1394 视频输出
•  保证完全兼容NI Windows软件

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