芯片工艺升级至1纳米,第二代EUV光刻机曝光?

来源:快资讯 发布时间:2019-07-11 18:25

近日,有韩媒报道称,全球最著名的光刻机公司ASML公司正积极投资研发下一代EUV光刻机,这标志着,半导体制造工艺又或要升级一个新台阶,CPU芯片、手机芯片等不久后又要升级换代了?

 

据悉,与现有的光刻机相比,第二代EUV光刻机最大的变化就是High NA(高数值孔径)透镜,而通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升70%,达到业界对几何式芯片微缩的要求。

而据之前ASML公司公布消息显示,ASML新一代EUV光刻机的量产时间是2024年,尽管最新的报道称下一代EUV光刻机2025年量产,但相比现在的EUV光刻机仅能量产7nm产品的情况下,已经是划时代的进步了。消息显示,在第二代EUV光刻机真正出现时,台积电、三星已经量产3nm工艺,甚至开始进军2nm、1nm产品阶段了。

 

目前,全球最先进的光刻机就是荷兰ASML公司生产的EUV光刻机,每台售价超过1亿美元,而且供不应求。据悉,2016年,ASML公司斥资20亿美元收购德国蔡司公司25%的股份,并投资数亿美元合作研发新一代透镜,而ASM公司L这么大手笔投资光学镜头公司就是为了研发新一代EUV光刻机。

2018年10月,ASML公司又与IMEC比利时微电子中心合作研发新一代EUV光刻机,目标是将NA从0.33提升到0.5以上,而从光刻机的分辨率公式——光刻机分辨率=k1*λ/NA中可以看出,NA数字越大,光刻机分辨率越高,所以提高NA数值孔径是下一代EUV光刻机的关键。

 

我们知道,在半导体制造过程中,最复杂也是最难的步骤就是光刻,成本能占到整个生产过程的1/3,因此,光刻机成为最重要的半导体制造装备。2019年,台积电、三星开始量产7nm EUV工艺产品。而到2020年,5nm开始量产,EUV光刻机或许又面临一次升级。

除此之外,中国内地最大的芯片代工企业中芯国际在2018年就成功预定了一台ASML的7nm EUV(极紫外)光刻机。当时,ASML负责人在公司财报会上透露称,2019年要出货30台EUV设备,这对于正在积极发展芯片产业的中国市场来说是个很好的消息。但截至目前,并没有那么多数量的EUV光刻机卖给中国公司。


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