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C-31型(4英寸)高精度双面光刻机

高精度双面光刻机

C-31型(4英寸)高精度双面光刻机实景图

主要用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

工作方式

本机采用版—版对准双面同时曝光

主要构成

主要由高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、多点光源曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式无油真空泵、防震工作台等组成。

 主要功能特点

1.适用范围广

适用于φ100mm以下,厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。

2.结构先进

该机为双面接触式光刻机,特制的翻版机构,能消除基片楔形误差,保证上、下二块掩膜版对基片上、下两面良好的接触,从而保证基片上、下两面的曝光质量。

3.操作简便

采用手动方式,特制的翻版机构

4.可靠性高

采用进口电磁阀、按钮、定时器;真空管路系统和精密的零件加工,使本机具有非常高的可靠性。

主要技术指标

*曝光类型:单面对准双面曝光

*曝光面积:≥φ100mm

*曝光不均匀性:≤±4%

*曝光强度:≥5mw

*曝光分辨率:≤1.5μm

*曝光模式:双面同时曝光

*对准精度:上版与下版的对准精度≤5μm

*对准范围:X.±5mm Y.±5mm

*旋转范围:Q向旋转调节≥±5°

*显微系统:双视场CCD系统,物镜0.7X~4.5X,计算机图像处理系统,19″液晶监视器

*掩模版尺寸:3×3(英寸)、4×4(英寸)、5×5(英寸)

*基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″

*基片厚度:≤5 mm

*曝光灯功率:直流2×350W

*曝光定时:0~999.9秒可调

*电源:单相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

*洁净压缩空气压力:≥0.4Mpa

*真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa

*尺寸:900×700×1500 (L×W×H)mm;

*重量:~150kg

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