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C-33型(4英寸)高精度双面光刻机

高精度双面光刻机

 

 

 

C-33型(4英寸)高精度双面光刻机

主要用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

工作方式

本机为双面对准单面曝光

主要性能指标

⒈  高均匀性多点光源.蝇眼(LED)曝光头

*采用350W直流球形汞灯

*出射光斑≤φ110mm

*光强≥20mw

*光的不均匀性≤±3%

*光强度可通过光阑调节,3~10mw任意调节

*曝光时间采用0~999.9秒时间继电器控制

观察系统为上下各两个单筒显微镜上装四个CCD摄像头通过视屏线连接计算机到液晶显视屏上。

*单筒显微镜为0.7X~4.5X连续变倍显微镜

*CCD摄像机靶面对角线尺寸为:1/3″,6mm

*采用19液晶监视器其数字放大倍率为19×25.4/6=56

*观察系统放大倍数为

0.7×56=39(***小倍数)  1.7×56=95

1.7×56=95(***小倍数)  4.5×56=252(******倍数

10×56=560(******倍数

*右表板上有一视屏转换开关向左为上二个CCD向右为下二个CCD

⒊专用计算机软件系统

⒋非常特殊的板架装置

该装置能分别装入100×100板架或125×125板架按用户要求另配置63×63板架对版进行真空吸附

该装置安装在机座上能围绕基础点作翻转运动相对于承片台作上下翻转运动便于上下版和上下片

该装置反复翻转重复精度为≤±2μm

该装置具有补偿基片楔形误差之功能保证版下平面与片上平面之良好接触以便提高曝光质量

⒌承片台调整装置

配备有Φ75Φ100承片台各一个这二种承片台有二个长方孔

下面二个CCD通过该孔能观察到版或片的下平面并实现真空密着曝光,Φ50基片不能实现真空密着曝光。

*承片台能作XYθ运动,XY、可作±5mm运动,θ运动为±5°

*承片台密着环相对于版能实现真空密着”:(基片Φ75~Φ100mm)

*真空密着力≤-0.05Mpa为硬接触

*真空密着力≤-0.05Mpa~-0.02Mpa为软接触

*真空密着力≤-0.02Mpa为微力接触          

*工作条件 :

①电源:50HZ  220V

②气源:≥0.4Mpa

③尺寸:900×650×1500 (L×W×H)mm

④重量:~150kg  

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